東洋紡開發出線膨脹系數與硅芯片相同薄膜
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原來的聚酰亞胺薄膜的線膨脹系數為20～30ppm/℃，而新開發的產品則與硅片相同，僅為3ppm/℃。因此，由溫度變化導致的硅芯片與聚酰亞胺之間的剝離就不易產生，東洋紡認為可將聚酰亞胺作為封裝底板使用。
Zenomax還具有高耐熱性特點。原來的聚酰亞胺的耐熱溫度為350℃，而此次開發的產品為500℃。
該薄膜是通過將該公司的核心技術——耐熱聚合物合成技術與薄膜制膜技術的相互融合實現的。為了實現與硅芯片相同的線膨脹系數，通過對單體材料實施某種特殊處理進行了聚合。可制造的薄膜厚度在5μm以上。
開發產品的目標是替代積層多層板、新一代半導體封裝的絕緣材料，乃至陶瓷底板。另外，東洋紡認為，此次的薄膜還可應用于配備有加熱器的底板等在高溫下使用的底板。該公司打算在1～2年內向市場投放產品。
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| 2007-02-16
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