據業界消息稱，由于美光科技公司(Micron Technology, Inc.)、爾必達(ELPIDA MEMORY) 和海力士半導體（Hynix Semiconductor Inc.)等三家內存廠商提高了DRAM的產量，因此DRAM內存價格近期出現大幅下跌。

　　據悉，這三家廠商紛紛調整調整產能，將之前生產其它類型產品的生產線全部轉而生產DRAM內存。據預測，07年第二季度受上述三家廠商產能調節影響，全球DRAM內存產量將增長20-30%。

　　美光科技由于預測07年受手機市場帶動，CIS（CMOS圖像傳感器）需求會有大規模上升，因此調整很大部分產能用于生產CIS，但實際上市場需求并未達到預期。

　　爾必達之前預測2007年消費電子市場將會出現迅猛增長，但由于幾個月來消費電子類產品一直并沒有大起色，因此也造成了爾必達為消費電子類產品制造的DRAM內存庫存積壓嚴重，故爾必達重新調整了產能，轉而生產標準DRAM產品。

　　由于在NAND閃存制造工藝上比三星和東芝落后，因此海力士半導體決定增大DRAM內存產量。在數月后NAND閃存制造工藝趕上競爭對手后，公司將重新調整產能生產NAND閃存。