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凌力爾特用N溝道MOSFET取代肖特基二極管

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作者： 時間：2007-05-21 來源：EEPW
凌力爾特公司(LinearTechnologyCorporation)推出的雙路理想二極管“或”控制器LTC4355允許在高可用性系統中用N溝道MOSFET取代肖特基二極管，并具有廣泛的故障監視功能以診斷電源故障。以這種方式形成的輸入電源二極管“或”電路可降低功耗、減小熱耗散及所占用的印刷電路板面積。該器件9V至80V的寬工作電壓范圍支持具有兩個正電源的二極管“或”應用，如12V分布式總線架構，或兩個負電源的返回通路，如-48VAdvancedTCA(ATCA)應用。另外，LTC4355監視如下幾種類型的故障并分別發出不同的信號：輸入電源未進入穩定狀態；并行保險絲燒斷；MOSFET上的電壓高于故障門限。  

在ATCA等大功率、高可用性應用中，必須有冗余電源和冗余返回通路，這時“或”二極管的功率和熱耗散可能過大，而用MOSFET可組成效率更高的解決方案。LTC4355為外部N溝道MOSFET提供柵極驅動，可實現快速關斷以防止反向電流，以及在沒有出現振蕩的情況下平穩地切換電源。LTC4355正二極管“或”控制器對LTC4354負二極管“或”控制器以及凌力爾特的HotSwap控制器系列起到了補充作用，這個控制器系列中包括具嚴格UV/OV容限的LTC4252A和具內部ADC以實現多種監視功能的LTC4261。  

LTC4355規定在商用和工業溫度范圍內工作，采用4mm

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