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英特爾合資公司開發出MLC閃存樣品

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作者: 時間:2007-05-01 來源:天極ChinaByte
據國外媒體報道,本周四美光科技宣布,它與的合資企業IM Flash科技公司已經開發出處于行業領先水平的50納米(多層單元)NAND芯片樣品。

美光稱,與SLC(單層單元)組件相比,新的 組件體積更小,能量效益更高,能夠更理想的使用在目前的計算和產品中。 閃存組件的密度為16GB,而SLC閃存組件的密度僅4GB。

NAND閃存部門副總裁兼總經理Randy Wilhelm表示,我們與美光的合資公司提前開發出了行業中領先水平的米MLC芯片架構超過了我們先前的時間預期,去年七月份,我們首先在行業中開發出了50納米SLC 閃存樣品,開發出行業中最先進的50納米MLC架構進一步證明了我們的開發和制造實力。

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