隨著如手機、PDA、MP3等大量便攜式電子設備需求猛增，此類電池供電產品電壓較低，同時內部供電電壓又有多種,故需要一種即能低壓工作，又具有三端穩壓器的使用便利的降壓器件。同時還要具備小的封裝體積，于是LDO被研發出來并大量使用。這類器件不僅滿足了小體積,小壓差低壓工作特性,而且又具有低耗電能力。
日本理光公司所生產的R1114系列是一種高輸出電壓精度、低耗電、低導通阻抗、高紋波抑制以及采用CMOS工藝的電壓調節芯片。由于該系列具有良好的線性瞬時特性和有負載時的瞬時特性，因此非常適合于手持式通訊設備的供電。R1114的封裝形式采用小體積SOT-23-5和SC-82AB，因此有利于在一塊板上進行高密度的安裝。此外，該系列還內置過流保護電路，可外接陶瓷電容，具有快速放電功能。R1114的原理框圖如圖1所示。
圖1中設定LDO Vout的內部電阻已確定，在訂貨時只需向生產商講明需求的電壓值即可，故整個電路的使用如三端穩壓器一樣方便。在輸入端存在一個大于Vout的直流電壓，Vout端將出現一個預定的電壓，其中Vdd-Vout即LDO的壓差。在Vout已定的情況下，當Vdd發生跌落并跌至一個值時，LDO將會退出穩壓。此時Vout也將會下降。在LDO退出穩壓前，此時也有一個Vdd-Vout，這一值為LDO的最低壓差。LDO最低壓差和Iout有關，Iout越大則最低壓差也將越大。最低壓差同時也和內部的功率器件導通電阻值有關,在R1114系列的D系列中LDO內部在Vout和GND之間連接了一個MOS管，當CE腳不選時，MOS管導通可以使Vout端連接的外部電容通過MOS管快速放電。其外圍電路如圖2所示。
當使用這些芯片的時候，應注意兩上方面：1.在這些IC中，為了使負載電流在發生變化的情況下，相位補償也能使芯片正常工作。要用一個頻率特性與等效串聯電阻穩定的輸出電容。 2.使Vdd和GND腳的布線要足夠粗。假如它們的阻抗太高，產生的雜波可能會影響輸出。在Vdd和GND腳之間接入一個1.0mF的電容，該電容必需盡可能的接近IC相應的腳位。
隨著便攜式產品越來越多的被應用，且隨著整機日益的復雜化，其內部供電電壓的重要性也越來越突出，R1114必將發揮更為重要的作用。■