三星自夸芯片制造工藝速度超越摩爾定律
加入技術交流群
摩爾定律最初于1965年發布時，曾預言芯片中晶體管數量每年就會增加1倍，1975年時修正為芯片內晶體管數量每2年倍增。
對此，黃昌圭表示，三星在NAND型閃存（Flash）制造工藝的推進速度是每年倍增其容量。事實上，從三星陸續推出1Gb、2Gb、4Gb NAND型閃存的速度上來看，它的芯片制造工藝改進速度已經超越了摩爾定律預言的速度。
4Gb NAND型閃存是三星剛剛發布的新品，明年它打算將NAND型閃存的容量推上8Gb。
黃昌圭對三星電子芯片制造工藝的改進充滿信息，他認為在不考慮供給、需求的前提下，三星的工藝可讓NAND型閃存平均價格每年下滑40%。
據了解，目前三星已是全球NAND型閃存市場的龍頭，其市場占有率逼近60%，它對市場價格的操縱能力不言可喻。三星領先全球、首次以Fab 14的12英寸晶圓投產NAND型閃存，初期以0.07微米工藝量產，隨后將導入0.06微米工藝，這讓三星的利潤空間足以應付產能過剩時可能出現的價格崩盤，就算這種情況出現，三星依然是大贏家。
此外，三星曾在2004年11月通過美國媒體放出有意切入晶圓代工領域的消息，隨后還曾在12月份三星半導體部門30周年慶上宣稱未來6年將斥資240億美元，把內存業務與LSI業務結合起來進行推進，爭取讓每年營收增長達到2位數。目前，除內存業務外，三星已經很少提及其他半導體業務的發展，三星到底會不會進入晶圓代工領域，目前仍是個謎。
相關推薦
-
| 2009-07-06
-
| 2007-12-16
-
| 2007-12-16
-
-
| 2003-01-19
-
-
-
-
| 2002-12-02
-
| 2009-07-06
-
| 2002-11-22
-
| 2009-07-06
-
| 2003-01-02
-
| 2009-07-06
-
| 2007-12-16
-
| 2009-07-06
-
| 2003-01-24
-
-
| 2007-12-23
-
| 2007-12-23
評論