近日，應用材料公司推出了新的Applied Centura® Mariana™ Trench Etch系統，這是深槽刻蝕納米制造技術領域內的一次重大飛躍。Mariana是第一個能夠刻蝕80:1長寬比深槽的系統，這個關鍵性能使客戶可以擴展DRAM電容到70nm技術節點。雙頻調諧功能夠精密控制刻蝕輪廓和臨界尺寸，使刻蝕深度不一致性小于2%。同時，系統獨特的等離子化學反應提供了全所未有的硬掩膜選擇性。

　　應用材料公司資深副總裁，刻蝕、清潔、前道和離子注入集團總經理Tom St. Dennis表示：“通過和客戶的合作，我們開發了業界最先進的深槽刻蝕技術，其刻蝕結構的長寬比高出現有系統30%。這個共同開發的項目使我們的Mariana 系統具有先進的技術性能和優化的生產能力。”

　　Tom St. Dennis還補充道：“目前已經有客戶選購了Mariana系統用于70nm DRAM的生產。進一步提高電容深槽工藝的關鍵就在增加長寬比，客戶們都非常贊賞Mariana系統具有支持多代DRAM生產的能力。”