ST率先推出SO8窄型封裝的1Mbit串行EEPROM
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M24M01支持100 kHz和400 kHz時鐘頻率，全面兼容I2C規范，1.8V到5.5V的寬工作電源電壓。 128-Kbits x 8存儲結構，支持字節和頁式寫模式，寫操作極快，256字節寫操作低于5ms。改進的輸入噪聲過濾功能可以防止器件在電氣噪聲環境中出現亂真寫操作。數據保存能力超過40年，耐擦寫能力不低于100萬次擦寫循環。工作溫度范圍-40℃到+85℃。
這個緊湊型產品的高存儲密度歸功于ST先進的0.18微米EEPROM制造工藝。SO8N封裝的尺寸極小,將為數字電視、DVD影碟機、機頂盒和醫療設
備制造商降低應用中的電路板空間需求提供機會，同時還能擴大設置參數、調諧信息、用戶自定義設置和其它數據的可用存儲空間。.
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