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英特爾打破散熱瓶頸摩爾定律再活百年

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作者:賽迪網 時間:2007-01-29 來源:
 
 1月28日消息,據國外媒體報道,日前宣布,已經解決了長期困擾半導體行業的問題。 

  據美聯社報道,日前表示,已經開發出新的材料來替代當前晶體管中的易發熱材料。與當前材料相比,新材料能夠降低電子泄露10倍以上,提升晶體管性能20%以上。

  業內專家稱,這將是自20世紀60年代以來晶體管技術史上的最大突破。該技術允許半導體廠商制造體積更小的電子產品。

  近年來,盡管半導體公司仍在續寫摩爾定律,但問題已經成為半導體廠商所撓頭的問題。這主要是由于晶體管所采用的絕緣材料二氧化硅體積越來越小,電流數量增加導致發熱量過高。

  半導體廠商在晶體管中使用二氧化硅的歷史已經40多年。而的新技術就是利用新材料來取代二氧化硅,從而降低芯片發熱量。


關鍵詞: 芯片散熱 英特爾

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