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英特爾與IBM翻新電晶體制造技術 創重大突破

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作者: 時間:2007-01-29 來源:
    周五宣布在電的研發上獲得40年來最重大的進展之一,可確保微晶片尺寸更小,功率更強大,成功克服了一大障礙。 

    雙方分別以各自的研究,透過使用一種新物質來制造電而達成突破。體積迷你的電是制造微晶片的基礎物質。 

    這項科技運用到一層透過電晶體調節電流的物質。 

    產業顧問公司VLSIResearch負責人哈契遜(DanHutcheson)說,「就電晶體而言,基本物質自1960年代以來就不曾改變過。因此這是非常大的突破」。 

    「摩爾定律(Moore’sLaw)已快要不適用了,」他補充說。所謂摩爾定律是的共同創辦人摩爾(GordonMoore)提出的業界金科玉律,即晶片上的電晶體數目大約每兩年會增加一倍。 

    摩爾定律的結果是晶片越來越小,速度越來越快,并擴展到林林總總的消費性產品,如今這些產品占該產業2,500億美元年度營收的絕大部份。 

    最新的突破意味著,和其他公司將能利用小至45奈米的電路系統制造下一代晶片。45奈米大約相當于一根人類頭發寬度的兩千分之一。 

    英特爾表示,預定今年稍後推出的處理器將利用新科技制造,而此新科技是基于一種叫做鉿(hafnium)的銀白色金屬。該公司希望這能使他們在和對手AMD的競爭中占到優勢。 

    則預期在明年推出由其盟友利用此技術制造的晶片。其盟友包括AMD和日本的東芝。

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