谷歌Tensor G5芯片或已進入流片階段,基于臺積電3nm制程
作者:
時間:2024-07-02
來源:SEMI
據臺媒報道,最新消息稱預計用于谷歌明年旗艦智能手機的Tensor G5芯片將基于臺積電3nm制程,目前已成功進入流片階段。
本文引用地址://tjguifa.cn/article/202407/460545.htm據了解,谷歌Tensor G5芯片代號為Laguna Beach“拉古納海灘”,該芯片采用臺積電InFo_PoP晶圓級扇出封裝技術,實現SoC和DRAM的堆疊,支持16GB以上內存。這種封裝技術能有效提升芯片的性能,并減小其物理尺寸,為谷歌Pixel設備帶來更強大的性能和更緊湊的設計。
此前推出的前四代Tensor芯片均基于三星Exynos的修改版本,并由三星代工生產。而Tensor G5的全自研,意味著谷歌將能夠實現對Pixel設備從芯片到設備整機再到操作系統乃至應用程序的全方位掌控。這種深度整合的軟硬件設計,將有助于谷歌更快地將AI應用部署在自家設備上,從而打造差異化產品,提升市場競爭力。
相關推薦
-
| 2015-07-28
-
| 2008-04-25
-
-
-
| 2013-01-17
-
| 2012-07-24
-
| 2008-04-28
-
| 2008-05-14
-
| 2008-04-08
-
-
-
| 2007-03-30
-
-
| 2013-09-22
-
| 2013-09-22
-
-
| 2008-09-20
-
| 2012-07-30
-
| 2013-09-22
-
| 2008-05-08
-




評論