中科院極紫外光刻機光源技術研究項目通過驗收
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1月16日，中國科學院上海光學精密機械研究所“極紫外光刻機光源技術研究”項目通過驗收，這標志著我國在下一代芯片工藝核心技術——極紫外光刻(EUVL)光源轉換效率上已達國際先進水平。
作為一種新型的微電子光刻技術，“極紫外光刻”以波長為13.5納米的“軟X射線”為曝光光源，最終將成為生產更細線寬集成電路的主流技術
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