意法半導體推出世界上最小的采用180納米互補MOS技術的嵌入式閃存
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這項新技術特別適合汽車應用。在汽車應用中，嵌入式閃存廣泛用于主要功能的片上系統解決方案(SoC)，如發動機管理單元和導航及信息系統。這項技術支持主流核心控制器如汽車應用中被廣泛采用的ARM7、ARM9 和 ST10，以及多處理器體系結構。內置這些核心的演示芯片正在接受用戶在全溫度范圍的驗證。
ST公司副總裁兼非易失性存儲器工藝開發主任Paolo Cappelletti說：“世界上第一個大批量生產的180nm嵌入式閃存技術和業內最小的單元尺寸的雙重成就，使ST穩穩地處于嵌入閃存技術的最前沿，而且對于我們的片上系統產品組合具有重要的意義。”
這個180nm嵌入式閃存技術完全兼容基本的180nm邏輯工藝（單元庫和核心），宏單元十分靈活，可以快速定義高達10兆位的用戶指定的存儲陣列，扇區可以劃分到最小8千字節。此外，宏單元還具有內部自測試（BIST）特性。
意法半導體是第一個推出嵌入閃存的微控制器的半導體制造商，是今天含有嵌入式閃存的片上系統器件的世界知名制造商之一。這些器件廣泛用于汽車、通信、消費和計算機外設等應用。
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