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集成功率級LED與恒流源電路一體化設計

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作者:許 萍 時間:2006-12-25 來源:半導體技術
1 引言 

目前,功率級產品有兩種實現方式:一是采用單一的大面積功率級芯片封裝,美國、日本已經有5W芯片的產品推向市場,需要低壓大電流的恒流驅動電源供電,其價格也比較高;另一種是采用小功率芯片集成方式實現功率級,日本松下電工已經開發出20W的集成LED產品。然而由于功率級LED在低壓大電流條件下工作,對于遠距離的恒流驅動電源供電卻存在著線路功耗大、系統可靠性低等許多難以解決的技術問題。

在承擔的國家級科技攻關項目中,我們將新設計的DIS1xxx系列集成二極管與LED芯片通過電路工藝技術集成為一體,解決了集成功率級LED在使用中的恒流電源供電問題,其電流穩定度、溫度漂移和可靠性等技術指標,均符合項目要求。

2 主要參數設計

采用單晶硅片作為基板,用雙極型集成電路工藝方法在硅片上制作二氧化硅絕緣層、鋁導電反光層,將多個LED芯片、SMD阻容元件和DIS1xxx 系列集成芯片集成在一起。通過光刻和擴散工藝,在單晶硅層形成反向穩壓二極管,用于泄放靜電,以提高LED的抗靜電能力。我們設計的5W功率級集成LED,采用80個0.3mm

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