IBM、特許半導體、英飛凌科技和三星近日聯合推出四方合作采用45納米低功耗工藝制造的首批芯片，并開始供應設計套件。關鍵設計元素的早期硅化，加上首批設計套件，能夠讓設計者率先演進至這個由行業領先的CMOS工藝研發聯盟研制的最新工藝。首批設計套件是四大公司聯合打造的，現已開始供貨。 　　  

　　這批首次采用45納米工藝制造的面向下一代通信系統的工作電路，擁有成熟的硅性能，運用了聯盟伙伴聯合開發的工藝。這批芯片在聯合開發團隊的駐地——IBM設在紐約州East Fishkill的300毫米晶圓工廠生產。已成功通過驗證的功能塊，有英飛凌提供的標準庫元件、輸入/輸出元件，還有聯盟開發的嵌入式存儲器。英飛凌已在首批300毫米晶圓上實現了特殊電路，以測試這個復雜的工藝，并取得產品架構互動方面的初步經驗。 　　  

　　首批設計套件融合了四方的設計專長，能夠幫助客戶更早轉換至新的工藝，同時繼續推動單設計、多晶圓廠制造能力，從而最有效地發揮他們的設計優勢，并最終為消費者帶來實實在在的利益
。45納米低功耗工藝，預期將于2007年底在特許半導體 、IBM和三星的300毫米晶圓廠安裝并得到全面鑒定。 　  

　　“首批45納米產品的速度、創新性和完備性，充分展示了四大公司之間的合作力量，能夠為客戶帶來更高的價值。我們的初期硬件測試結果顯示，45納米結點器件的性能，至少比65納米結點器件高出30%。產品開發人員可以充滿信心地利用該設計工藝，”IBM半導體研發部副總裁兼聯合開發聯盟主管Lisa Su說，“憑借這個由行業領袖組成的聯盟在世界各地的優良研發資源和大量的知識資產，我們能夠比單兵作戰更快、更有效地向客戶和市場推出新的制造工藝和設計。客戶可獲得的另一個好處是靈活性——他們可以對這項工藝進行評估，因為GDSII具有廣泛的兼容性。”