WJ推出28 V InGaP HBT功率放大器技術
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“對于研究成功這項新的28V InGaP HBT工藝，我們感到十分振奮。這項技術顯著地提高了鄰近頻道功率比/鄰近頻道泄漏比（ACPR/ACLR）性能，而效率與市場上目前的LDMOS產品相當或者更高。”WJ通訊公司負責工程技術的副總裁Morteza Saidi說道。“用這項技術制造的器件可以作為B類放大器使用，由于獨特的電路設計（已經申請專利權），它的ACPR/ACLR性能仍然很好。我們初步計劃推出幾種1 dB壓縮點（P1dB）功率為10 W的產品，這項技術也適合于制造功率更大的產品。”
工藝簡介
+28 V InGaP HBT工藝是先進的技術，它的擊穿電壓極高，能夠用于很大的功率。我們已經在半導體結溫為315 ℃的情況下進行了4000小時的壽命試驗，而且它的β降級極少。我們已經證明這項工藝在輸入過載6 dB時，仍然不會損壞。
封裝的開發
WJ通訊公司還研制了一種可以進行表面貼裝的功率QFN封裝，用于這些InGaP HBT產品，它是使用低熔點貼片技術把芯片貼上去，大量地降低了熱阻，保證它能夠可靠地工作。
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