IR中國銷售總監嚴國富指出：“全新的DirectFET芯片組是設計人員所需應用于中功率水平之細小，快捷開關，及15至18安培功率轉換器的最佳選擇。它們不僅能在5至8安培應用上提高超過百分之一的效率，還比采用3顆SO-8器件的典型方法節省了百分之五十的占板面積。”

　　該芯片組的每個器件都是為了使同步DC－DC降壓式轉換器電路實現最佳性能而設計的。IRF6631 DirectFET控制MOSFET可降低開關損耗，而IRF6638 DirectFET同步MOSFET則能減少傳導損耗及反向恢復電荷。

　　IRF6631控制FET的柵極電荷為12nC，電阻柵極電荷（99.6 mohmsnC）優值系數比先前的產品減少了16%。IRF6638 DirectFET同步 FET在4.5V時可提供3.0mohms的典型導通電阻，在保持同一柵極電荷時，比現有的器件減少了12%。

　　IR獲得專利的DirectFET MOSFET封裝體現了以往標準塑料分立封裝沒有具備的一系列設計優點。金屬罐構造可以實現雙面冷卻，使先進微處理器供電的高頻DC-DC降壓式轉換器的電流處理能力提升了一倍。此外，采用DirectFET封裝的器件均符合有害物質限制（RoHS）規定。

　　IRF6631和IRF6638 DirectFET MOSFET現已供貨，產品基本規格如下：