歐盟對抗功率難題納米級芯片欲破瓶頸
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該協會的主要成員STMicroelectronics在當地時間周二（北京時間周三）發布的一份聲明中稱，該協會的研發項目旨在改進下一代芯片系統半導體的設計，解決65納米及其以下納米CMOS出現功率泄漏的問題。
據悉，該項稱為CLEAN的計劃將得到歐盟第六次框架項目下納米電子計劃的資助。功率泄漏時發生在65納米以下技術中納米電路的一個障礙，STMicroelectronics稱半導體設計工藝和加工方面的新問題需要共同努力加以解決。
CLEAN的主要目標在于研發新一代功率泄漏模式，設計工藝和泄漏控制技術及電子設計自動（EDA）工具,該工具能自動完成設計的部分工作，而以目前的技術是難以實現的。
該研發協會包括14個合作成員，其中包括英飛凌、ChipVision Design Systems、丹麥理工大學、布達佩斯技術與經濟大學等。
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