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采用Saifun NROM技術中芯國際進軍閃存

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作者: 時間:2006-01-10 來源:
  國際與半導體日前共同宣布,國際將采用技術研發生產存儲卡。
  技術在非易失內存技術領域是一個突破。技術將存儲能力提高到每個基本存儲單元四字節,是一般基本存儲單元的兩倍多。不僅如此,NROM技術簡化了存儲單元的器件模型,減少了生產步驟,降低了生產成本。

  “存儲卡市場對于我們未來的發展而言是一個重要的驅動力,”國際首席營運官Marco Mora表示,“在雙方簽署的第二份協議中,我們將Saifun先進的技術和中芯國際的高容量存儲卡產品結合在一起,根據我們的核心優勢積極關注產品的主要分銷渠道。”

  Saifun半導體公司總裁Kobi Rozengarten先生表示,“自從我們今年六月簽定第一份技術轉讓協議以來,雙方緊密合作,致力于為數字產品市場研發領先于市場的,基于NROM雙字節和四字節技術的存儲器產品。隨著市場對高容量卡產品的需求不斷擴大,中芯國際先進的生產經驗和Saifun創造性的NROM技術的結合,必將給雙方公司帶來更多的成長機會。”

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