海力士2006年4月啟用無錫半導體廠
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韓國業界相關人員近日指出，據傳海力士最快將在明年第一季底，最遲將在明年第二季初啟用無錫廠。無錫廠將以生產DRAM為主，NAND型閃存則將視市場需求彈性生產。
無錫廠區達16萬平方米，海力士計劃投入2兆韓元以上興建一座八吋晶圓廠與一座12吋晶圓廠。明年4月將啟用的為8吋晶圓廠，將采用90納米制程月產4萬片（以八吋為基準）DRAM。
韓國業界相關人員近日指出，據傳海力士最快將在明年第一季底，最遲將在明年第二季初啟用無錫廠。無錫廠將以生產DRAM為主，NAND型閃存則將視市場需求彈性生產。
無錫廠區達16萬平方米，海力士計劃投入2兆韓元以上興建一座八吋晶圓廠與一座12吋晶圓廠。明年4月將啟用的為8吋晶圓廠，將采用90納米制程月產4萬片（以八吋為基準）DRAM。
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